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真空成膜装置・高真空装置
真空成膜装置・高真空装置とは
真空成膜装置とは、半導体の製造工程のうち薄膜成形のプロセスに用いられる装置で、手法によってPVD、CVD、PLD、MBEなど各種の成膜装置が存在しており、真空度の高さが半導体の品質を決める大きな要因となっています。西華デジタルイメージでは、長年薄膜素材の評価装置として定評のあるVINCI社の製品を取り扱ってまいりましたが、同社の真空成膜装置をラインナップに追加しました。VINCI社は高真空装置で定評のあったMECA2000社を傘下に収め、各種成膜装置(PVD、CVD、PLD、MBE)を提供、欧州を中心に多くの納品実績があります。レーザーやLEDの素子に使われる半導体素子を制作する際のプロセスに最適です。
特徴
- 長年の実績を誇るMECA2000社の技術をそのまま活かしており欧州中心とした数多くの実績
- 各種検査装置(XPS、AES、RHEEDなど)への組み込みに対応
- 高真空搬送路との結合に対応
- 要求仕様に応じたカスタマイズに対応、詳細はお問い合わせください。
アプリケーション
- 各種半導体
- ディスプレイ(有機ELデバイス等)
- センサー
- 薄膜太陽電池
- 航空宇宙用デバイス
- 光学デバイス
- 各種コーティング(硬化処理、加飾処理)
真空成膜装置製品ラインナップ
PVD10/20 先端ハイブリッド成膜装置
- 熱蒸着、電子線蒸着、マグネトロンスパッタ蒸着のハイブリッドシステム
- 有機・無機成膜対応
- パワフルな自動制御ソフトウエア搭載
- D型のステンレス製チャンバー(引き戸、観察窓付き)
- ソース選択スイッチ付属
- 基板ホルダーは要求に合わせて別途特注
- 4インチまでのサンプルに対応
仕様表
横スクロールでご覧いただけます。
構成タイプ | システム | ||
---|---|---|---|
PVD-10 E | PVD-10 S | PVD-10 H* | |
基板加熱(600℃まで) | × | × | × |
基板冷却(-150℃まで) | × | × | × |
基板回転 | × | × | × |
カソード (最大4) | - | × | Max depends Nbr. Of Thermal / Organic |
スパッタダウン | - | × | - |
スパッタアップ | - | × | × |
オーガニック / 熱 (最大10) | × | - | Max depends Nbr. Of cathodes |
グローブボックスの互換性 | × | - | × |
サンプルバイアス | - | × | × |
スロットルバルブ | - | × | × |
UHV-E450 E-Beam&MBE成膜装置
- クライオパネル内臓の10-10mbr高真空チャンバー
- 広範な成膜温度:-120~1500℃
- UHV&ドライポンプに依るコンタミの低減
- LN2冷却機構を持つ基板マニュピレーターに依る低温成膜(アモルファス、または 格子構造)
- Electron Bombardment Heaterによるエピタキシャル成長
- RHEED観察機構、及びIn-situモニターポート
- ロードロック機構
- 真空搬送路結合対応
MECATRANSTM 高真空搬送路
- 70m長の実績
- 10-10mbr高真空基板搬送トンネル
- 304L/316Lステンレス材使用
- ベークアウト温度:200℃
- マグネティックカップリングに依るフリクションフリー&ゼロパーティクルの搬送を実現
- 2”×12pcs基板トレイ
- ゲートバルブ機構により各部の保守が容易
- 真空搬送路結合対応 ロードロック機構・高搬送速度(50cm/s)
- オプションで自動搬送にも対応可能